第253章 最大的难点(1/2)

光刻机的制造难度主要在于三大关键设备：光源、双工件台、光刻机镜头。

而在光源方面，毫无疑问z国的世界最强的那个，这个结论从激光武器z国明显领先m国便能得出。

一个小小的光刻机光源，完全难不倒z国的科研人员。

双工件台就不太容易了，据说al研发的基于磁悬浮平面电机的双工件台产品，其掩模台的运动控制精度做到了2纳米，大大提升了芯片加工的精度和效率。

如此先进的双工件台，外国专家曾傲慢地说：“全世界没有第二家机构能做出来。”

然而仅仅过去五年不到，z国菁华大学的一个科研团队，研制的运动精度控制在2纳米左右的双工件台，成功通过了整机验收。

关键技术指标达到了国际同类光刻机双工件台技术水平。

双工件台也被z国人攻克了。

最后就是光刻机镜头，近些年光学镜头领域进步飞速，甚至有家民用卫星公司制造的光学卫星，分辨率就达到了1米、0.5米，地面的航母、军舰、车辆一览无余，甚至可以拍摄正在起飞的飞机，拍摄火箭发射画面，清晰度令人吃惊。

民用光学卫星的表现已如此夸张，军用当然更不得了。

这反映出的，是z国在光学镜头领域的进步。

光刻机镜头自然也难不倒z国的科研人员。

所以光源、双工件台、光刻机镜头这三大用于制造光刻机的核心设备，z国全部掌握。

这也正是al公司对z国放开光刻机销售的原因……严厉的封锁，光刻机领域，只会导致z国以更快的速度取得突破。

兔子被逼急了，会要你的命。

而z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平，一方面是市场份额被人牢牢把控；其次走相同的技术路线，会不可避免地会侵犯到al的知识产权，引发专利官司。

再加上一些关键设备的禁售。

国产的光刻机发展始终不温不火。

即便如此，为了绕开国外的专利壁垒，z科院光电所另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——

超分辨纳米光刻机。

这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，用365纳米近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10~9纳米级别的芯片。

而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

制造成本只有al公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。

技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。

不过超分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。

那就是曝光时间过长。

尤其实在芯片领域，euv光刻机曝光15秒便能完成的任务，超分辨光刻机需要十多天。

更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，超分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。

……

商海微电子公司。

来到这家公司调研的陈今，看到面前的这台22纳米超分辨光刻机，听了该公司的老总张昱明的介绍后。

“你说这么好的设备，不能用于芯片的制造，为什么不能？”

陈今皱着眉头，这太可惜了吧。

“不是不能，而是太慢！我们想了各种办法提高它的曝光效率，但曝光一张影刻，依然需要五天的时间，效率是传统光刻几万分之一，这完全抵消了我们的成本优势，只适合给一些较小规模的市场，比如军用芯片、光学器件、高精密光栅、光子晶体阵列等等，这些领域我们的超分辨光刻机卖了好几十台。”

“但大规模的芯片制造，只能老老实实地发展传统光刻。”

张昱明摇着头道。

目前商微电子的10n光源浸没式光刻路线，但制造成本太高，没有市场竞争力，又面临着al的专利壁垒，故而没有推向市场。

euv光刻方面，商微电子与国内很多机构合作，取得了一定的突破，但也面临专利方面的问题。

很多高精尖设备，不是说z国人打破不了垄断，而是专利壁垒挡在了那里。

“你们有没有办法加快它的曝光效率，赶上传统光刻机呢？”

陈今问道，他觉得超分辨光刻这条路线，真的可以继续走下去，应用于大规模芯片制造。

“办法有！但实现太难了，以现有的技术，几乎不可能实现。”

“你先说说你的办法。”

“增加‘笔’的数量，就是把光刻镜头做小！在手指头大小的光刻镜头内，集成1万个微型镜头，让这些微型镜头同时参与工作，完成集成电路的影刻。”

张昱明摇着头，见陈今听得一脸认真，不得不继续道：“芯片内部的结构并不是非常复杂，每个die都是一样的构造，每个晶体管也是相同的，一万个微型镜头，同步完成一样的工作，可大大加快超分辨光刻的效率。”

“甚至如果能做出这样的光刻镜头，我们可以在一台超分辨光刻设备内，集成十组、一百组光刻镜头，在直径超过100英寸的晶圆上进行光刻，10万、100万个的微型镜头同时工作，整体光刻效率，甚至远远超过传统光刻机！”

“但……太难了，以现有的工业制造能力，生产出那样的光刻镜头，至少得等到20年